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集微網消息，國家知識產權局消息顯示，盛美半導體設備(上海)股份有限公司（以下簡稱：盛美半導體）“去除晶圓背面邊緣薄膜的裝置與方法”專利獲授權，授權公告日為6月18日。圖片來源：國知局專利摘要顯示，該裝置包括具有內槽和外槽的真空吸盤，外槽設置在真空吸盤的外邊緣，內槽中設有內密封圈，外槽中設有外密封圈。當晶圓放置在真空吸盤上時，真空吸盤上由內密封圈包圍的區域與晶圓所形成的空間抽真空以將晶圓固定在真空吸盤上，真空吸盤上由內密封圈與外密封圈之間的區域和晶圓所形成的空間充有壓縮氣體，以使真空吸盤上由內密封圈與外密封圈之間的區域和晶圓所形成的空間內保持正壓，以防液體進入晶圓背面的中心區域。（校對小如）

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